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DIO82612同步整流35-65W快充方案芯片
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产品介绍
DIO82612同步整流快充芯片采用MHz级高频同步整流,适用于当前火热的氮化镓(GaN)大功率快充应用,DIO82612同步整流快充芯片采样独有的专利技术:快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制,DIO82612同步整流不仅具备非常好的匹配QR和ACF系统的高兼容性,同时更适于深度CCM模式,增强了安全工作稳定性。DIO82612同步整流快充芯片利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计,有助于客户快速实现更小尺寸、支持35-65W不同功率等级的USB PD快充解决方案。 DIO82612同步整流快充芯片产品特性: 1、支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑 2、MOSFET VDS采样耐压高达230 V 3、开关频率: –DIO82612 为 800 kHz –DIO82611为1MHz 4、宽VIN范围:5~30V 5、栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力 6、自适应Toff时间,提高抗噪能力 7、兼容高压侧或低压侧整流 8、低启动电流:100μA(Typ.) 9、低待机电流:300μA(Typ.) 10、关断传播延迟:20ns(Typ.) 11、9.5V驱动钳位电压 DIO82612经过实验室多方面验证和严苛的老化考核,非常适合高功率密度中大功率快充应用,深圳GaN快充方案同步整流DIO82612芯片适用30-65W快充方案,凯特瑞科技提供GaN快充方案同步整流DIO82612芯片报价,PD方案,30-65W PD快充方案,技术和现货支持。